同年10月，他采用自主研制的透明陶瓷荧光体实现了261lm/W白光LED的实验室光源光效，是当时国内外高光源光效。2013年通过中科院成果鉴定，由3位国内外享有盛誉的半导体领域的院士及九位专家经过评审，所研发的低成本高可靠性高光效陶瓷基多功能改进型MCOB封装集成技术在2013年1月31日的中科院成果鉴定中被专家认定为“综合性能和技术水平达到国际水平”。
　　
　　“我们立足于自主知识产权创新，努力形成稳定的先进工艺技术与装备，以解决该领域国家重大需求的基础性、关键性和技术集成问题，使研发、工程、生产及应用诸环节的优势力量得以集成并迅速推广。”他对记者说道。
　　
　　自主研发摘下“皇冠上的明珠”
　　
　　拥有“皇冠上的明珠”美誉的激光透明陶瓷具有重要的国防应用背景，是国外禁运、国防急需的关键材料，被美国军方认为是具发展潜力的激光增益介质。同时，它也被认为是为纯净、光学质量好、性能高，难度也是大的先进陶瓷中高技术的集成与代表。
　　
　　作为未来激光发展的两种重要的材料之一，激光透明陶瓷受到了世界各国政府的极大支持和关注。在日本和美国，激光透明陶瓷领域百千瓦的激光输出已经成为现实，但材料上的禁运和技术上的重要性，迫使我国迅速认清了一个现实――必须自主研制，才能“丰衣足食”。
　　
　　经过数年的研究，曹永革认识到，激光陶瓷制备的瓶颈在于对性能要求极为苛刻的高温高真空烧结设备和制备工艺，而我国高温高真空技术与国外技术差距在15年以上。为了在技术上有所突破，曹永革回国后，利用他本人在国内外高温设备、超高真空领域的长期技术经验积累，吸取国外高温高真空设备的优点，立足本土，自主设计研制成功了三代高温高真空设备超高真空高温烧结炉，其关键性能高温真空度比国外优越两个数量级，不仅为激光陶瓷的高温真空烧结提供了更佳的气孔排除的驱动力和更为洁净的烧结环境，还保证了产品的光学均匀性、机械性能均匀性以及应变均匀性。该成果获得了国家实用新型授权，突破了国外高温高真空技术限制，为高质量大尺寸激光透明陶瓷制备的完全国产化奠定了坚实的设备基础。